Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals

• Дата: 2014
• Автори: Konakova, R.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118352
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals / R.V. Konakova, S.M. Red’ko, V.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 75-79. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

The long-term transformations of photoluminescence of GaP, GaAs and InP single crystals treated with pulsed weak magnetic fields are obtained. The treatments were performed in two regimes, namely, single-pulse (τ = 30 ms) and multi-pulse (τ = 1.2 ms) ones, at varying magnitudes of magnetic induct...