Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Вибрати результат під номером 1
1

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures за авторством Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review) за авторством Sachenko, A.V., Konakova, R.V., Belyaev, A.Ye.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices за авторством Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4

A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures за авторством Konakova, R.V., Rengevych, O.E., Kurakin, A.M., Kudryk, Ya.Ya.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals за авторством Konakova, R.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features за авторством Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники за авторством Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.

Опубліковано 2010

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 8
8

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes за авторством Romanets, P.M., Konakova, R.V., Boltovets, M.S., Basanets, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 9
9

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films за авторством Konakova, R.V., Sosnova, M.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 10
10

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 11
11

The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment за авторством Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 12
12

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines за авторством Boltovets, N.S., Kashin, G.N., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 13
13

Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction за авторством Vitusevich, S. A., Forster, A., Belyaev, A. E., Glavin, B. A., Indlekofer, K. M., Luth, H., Konakova, R. V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 14
14

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Ledn’ova, T.M., Okhrimenko, O.B.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 15
15

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Kocherov, A.N., Okhrimenko, O.B., Svetlichnyi, A.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 16
16

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Okhrimenko, O.B., Berezovska, N.I., Kapitanchuk, L.M., Svetlichnyi, A.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 17
17

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures за авторством Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 18
18

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 19
19

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 20
20

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment за авторством Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:

Результати пошуку - Konakova, R.V.

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures за авторством Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review) за авторством Sachenko, A.V., Konakova, R.V., Belyaev, A.Ye.

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices за авторством Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures за авторством Konakova, R.V., Rengevych, O.E., Kurakin, A.M., Kudryk, Ya.Ya.

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals за авторством Konakova, R.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features за авторством Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники за авторством Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes за авторством Romanets, P.M., Konakova, R.V., Boltovets, M.S., Basanets, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films за авторством Konakova, R.V., Sosnova, M.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines за авторством Boltovets, N.S., Kashin, G.N., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A.

Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction за авторством Vitusevich, S. A., Forster, A., Belyaev, A. E., Glavin, B. A., Indlekofer, K. M., Luth, H., Konakova, R. V.

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Ledn’ova, T.M., Okhrimenko, O.B.

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Kocherov, A.N., Okhrimenko, O.B., Svetlichnyi, A.M.

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Okhrimenko, O.B., Berezovska, N.I., Kapitanchuk, L.M., Svetlichnyi, A.M.

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures за авторством Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment за авторством Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми