Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures

• Дата: 2009
• Автори: Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118680
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures / I.Z. Indutnyi, K.V. Michailovska, V.I. Min’ko, P.E. Shepeliavyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 105-109. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

The effect of treatment in saturated acetone vapors on the spectral composition and intensity of photoluminescence (PL) in porous oblique deposited SiOx films is studied. As a result of this treatment followed by high-temperature annealing at the temperature 930 °C, considerable PL intensity grow...