Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
Growing the epitaxial layers that contain the aluminium or indium has its specific features. So, the epitaxial layers prepared using the method of liquid-phase epitaxy at high (0.1 to 0.2 at. %) contents of a replacing element can possess a phase non-uniform boundary interface or goffered surface. H...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119202 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides / D.M. Yodgorova, A.V. Karimov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 377-379. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |