Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Вибрати результат під номером 1
1

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами за авторством Yodgorova, D. M.

Опубліковано 2010

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3

Research of structures with corrugated photoreceiving surface за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4

Determination of potential distribution in a three-barrier structure за авторством Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Опубліковано 2015

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 8
8

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 9
9

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Опубліковано 2008

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 10
10

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 11
11

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 12
12

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 13
13

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Опубліковано 2018

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 14
14

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Опубліковано 2011

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 15
15

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Опубліковано 2008

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 16
16

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 17
17

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Rakhmatov, A. Z., Skornyakov, S. L., Petrov, D. A., Abdulkhayev, О. А.

Опубліковано 2012

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 18
18

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния... за авторством Rakhmatov, A. Z., Skorniakov, S. L., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhayev, O. A., Buzrukov, U. M.

Опубліковано 2010

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 19
19

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Azimov, T. M., Buzrukov, U. M., Yakubov, A. A.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 20
20

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами... за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:

Результати пошуку - Yodgorova, D.M.

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами за авторством Yodgorova, D. M.

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Research of structures with corrugated photoreceiving surface за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Determination of potential distribution in a three-barrier structure за авторством Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Rakhmatov, A. Z., Skornyakov, S. L., Petrov, D. A., Abdulkhayev, О. А.

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Azimov, T. M., Buzrukov, U. M., Yakubov, A. A.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.