Suchergebnisse - Karimov, A.V.

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    Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений A³B⁵ von Karimov, A. V.

    Veröffentlicht 2007
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  2. 2
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    Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

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  3. 3
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    Research of structures with corrugated photoreceiving surface von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

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  4. 4
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    Determination of potential distribution in a three-barrier structure von Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

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  5. 5
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    Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

    Veröffentlicht 2009
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  6. 6
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    Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

    Veröffentlicht 2009
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  7. 7
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    Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

    Veröffentlicht 2015
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  8. 8
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    Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

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  9. 9
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    Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

    Veröffentlicht 2008
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  10. 10
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    Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

    Veröffentlicht 2007
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  11. 11
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    Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

    Veröffentlicht 2009
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  12. 12
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    Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

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  13. 13
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    Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features von Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

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  14. 14
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    Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

    Veröffentlicht 2018
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  15. 15
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    Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

    Veröffentlicht 2011
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  16. 16
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    Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

    Veröffentlicht 2008
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  17. 17
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    Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

    Veröffentlicht 2007
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  18. 18
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    Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Rakhmatov, A. Z., Skornyakov, S. L., Petrov, D. A., Abdulkhayev, О. А.

    Veröffentlicht 2012
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  19. 19
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    Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния... von Rakhmatov, A. Z., Skorniakov, S. L., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhayev, O. A., Buzrukov, U. M.

    Veröffentlicht 2010
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  20. 20
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    Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Azimov, T. M., Buzrukov, U. M., Yakubov, A. A.

    Veröffentlicht 2007
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