Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide

• Дата: 2001
• Автори: Litovchenko, P.G., Wahl, W., Groza, A.A., Dolgolenko, A.P., Karpenko, A.Ya., Khivrych, V.I., Litovchenko, O.P., Lastovetsky, V.F., Sugakov1, V.I., Dubovy, V.K.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119250
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide / P.G. Litovchenko, W. Wahl, A.A. Groza, A.P. Dolgolenko, A.Ya. Karpenko, V.I. Khivrych, O.P. Litovchenko, V.F. Lastovetsky, V.I. Sugakov, V.K. Dubovy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 2. — С. 85-90. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Radiation hardness of semiconductor detectors based on silicon is, first of all, determined by an introduction rate of point defects and aggregation of defect clusters. So introduction of electrically inactive impurity of oxygen promotes taking a vacancy stream aside from a doping impurity of phosph...