The influence of heating temperature and sizes of components upon stresses and defect formation in semiconductor structures under isothermal heating
In the work a complex analysis of the influence of size of components and heating temperature upon stresses and defect formation in substrates of the Si-SiO₂ structures is done. It is determined that alteration of shape and size of components can change stresses in the silicon substrate by an order,...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119334 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | The influence of heating temperature and sizes of components upon stresses and defect formation in semiconductor structures under isothermal heating / O.A. Agueev, A.M. Svetlichny // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 307-312. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |