Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
Using the method of high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), we have studied 17-period In₀.₃Ga₀.₇As/GaAs multilayer structure with self-assembled quantum wires (QWRs) grown by the MBE and subjected to postgrowth rapid thermal annealing (RTA) at temperatures (Tann) from 550 to 850 °C for 30 s. It h...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120650 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study / V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, O.M. Yefanov, O.F. Kolomys, O.I. Gudymenko, M.Ya. Valakh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 36-45. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |