Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study

Using the method of high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), we have studied 17-period In₀.₃Ga₀.₇As/GaAs multilayer structure with self-assembled quantum wires (QWRs) grown by the MBE and subjected to postgrowth rapid thermal annealing (RTA) at temperatures (Tann) from 550 to 850 °C for 30 s. It h...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120650
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study / V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, O.M. Yefanov, O.F. Kolomys, O.I. Gudymenko, M.Ya. Valakh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 36-45. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine