Харвестер відкритої науки НАН України

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness

von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P.
Veröffentlicht in Металлофизика и новейшие технологии (2018)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy

von Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Maksimenko, Z.V., Lytvyn, O.S., Prokopenko, I.V., Zytkiewicz, Z.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study

von Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates

von Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями

von Kaliuzhnyi, V.V., Liubchenko, O.I., Tymochko, M.D., Olikh, Y.M., Kladko, V.P., Belyaev, A.E.
Veröffentlicht 2021

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry

von Fodchuk, І.М., Dovganyuk, V.V., Litvinchuk, Т.V., Kladko, V.P., Slobodian, М.V., Gudymenko, O.Yo., Swiatek, Z.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

von Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures

von Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Рефлектометричнi дослiдження нанопористих плiвок з масивом наночастинок золота

von Kladko, V. P., Gudymenko, O. Y., Kriviy, S. B., Litvin, P. M., Kaganovich, E. B., Krishchenko, I. M., Manoilov, E. G.
Veröffentlicht 2018

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах...

von Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.
Veröffentlicht 2022

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands

von Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections

von Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Korchovyi, A.A., Machulin, V.F., Lytvyn, P.M., Shalimov, A.V., Kuchuk, A.V., Kogutyuk, P.P.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants

von Klyui, M.I., Temchenko, V.P., Gryshkov, O.P., Dubok, V.A., Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Dzhagan, V.M., Yukhymchuk, V.O., Kiselov, V.S.
Veröffentlicht in Functional Materials (2013)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios

von Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)

von Lysenko, V.S., Kondratenko, S.V., Kozyrev, Yu.N., Rubezhanska, M.Yu., Kladko, V.P., Gomeniuk, Yu.V., Gudymenko, O.Y., Melnichuk, Ye.Ye., Grenet, G., Blanchard, N.B.
Veröffentlicht 2021

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

von Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Veröffentlicht 2018

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Konakova, R.V., Kladko, V.P., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Korostinskaya, T.V., Ataubaeva, A.B., Nevolin, P.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)