Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
We investigated I-V curves and thermometric characteristics of heavily doped p-silicon structures at liquid helium temperatures. The variable-range hopping conductivity is shown to occur in the structures studied. The obtained parameters of non-ohmic Mott conductivity and their temperature and elect...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121164 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures / Yu.M. Shwarts, A.V. Kondrachuk, M.M. Shwarts, L.I. Shpinar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 400-405. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |