Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
For 3C-, 6H- and 4H-SiC polytypes of different conduction types and with various impurity concentrations we investigated absorption of incoherent radiation from the near IR spectral region at rapid thermal annealing. General regularities of both radiation absorption and sample heating are considered...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121170 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing / O.A. Agueev, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 379-382. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |