Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing

For 3C-, 6H- and 4H-SiC polytypes of different conduction types and with various impurity concentrations we investigated absorption of incoherent radiation from the near IR spectral region at rapid thermal annealing. General regularities of both radiation absorption and sample heating are considered...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автори: Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121170
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing / O.A. Agueev, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 379-382. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine