Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
Carrier transport mechanisms have been investigated in linearly graded InSb p-n junctions prepared using thermal diffusion of Cd into single crystal substrates of ntype conductivity. The investigations were focused on the reverse current as a function of bias voltage and temperature. The obtained ex...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121213 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 267-271. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |