Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing
Used in this work is the stationary model of the process of chemical-anddynamical polishing (CDP) the substrates in the case of balance between diffusion, convective and chemical fluxes. Obtained has been an analytical expression relating the surface shape in processed material with physical paramet...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2015 |
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121227 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing / G.A. Pashchenko, M.Yu. Kravetskyi, A.V. Fomin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 330-333. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |