Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
Effect of uniaxial elastic strain (of moderate magnitude) on operation of n+- p-type diode temperature sensor made in silicon is considered theoretically. It is assumed that operating current and stress direction coincide with each other and with one of three main crystallographic directions [100],...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121331 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors / V.L. Borblik, Yu.M. Shwarts, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 322-327. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |