Investigation of the effect of technological parameters on efficiency of chemical string cutting of semiconductor materials
On the basis of the balance model for convection-diffusion processes that occur during string chemical cutting (CC) of samples, we derive an analytical expression for the limiting CC rate at maximal use of etching agent. Comparison between the experimental and theoretical dependencies of CC rates fo...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121332 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Investigation of the effect of technological parameters on efficiency of chemical string cutting of semiconductor materials / M.Yu. Kravetsky, S.A. Sypko, A.V. Fomin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 328-331. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |