Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
Thermally stimulated conductivity of the InGaAs-GaAs heterostructures with quantum wires was studied using different quantum energies of exciting illumination. The structures reveal long-term photoconductivity decay within the temperature range 100 to 200 K, and effect of residual conductivity after...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121528 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures / S.A. Iliash, S.V. Kondratenko, A.S. Yakovliev, Vas.P. Kunets, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 75-78. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |