Low doses effect in GaP light-emitting diodes

• Дата: 2016
• Автори: Hontaruk, O.M., Konoreva, O.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Radkevych, O.I., Tartachnyk, V.P.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121559
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Low doses effect in GaP light-emitting diodes / O.M. Hontaruk, O.V. Konoreva, Ye.V. Malyi, I.V. Petrenko, M.B. Pinkovska, O.I. Radkevych, V.P. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 2. — С. 183-187. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

The paper is devoted to the electrophysical characteristics study of serial red and green GaP light-emitting diodes (LEDs) irradiated with low α-particles doses (Φ ≤ 10¹² cm⁻²). It was stated that radiation features of p-n-junction and its capacitance change in dependence on temperature. The capacit...