Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films

• Дата: 2015
• Автори: Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121816
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 209-214. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

In this work, the results of investigations of DLi spectra in α-SiC crystals and films with a low impurity concentration have been presented. Photoluminescence spectra of lightly doped SiC single crystals and films with the impurity concentration of ND–NA ~ (2…8)∙10¹⁶ cm⁻³, ND ~ (5…8)∙10¹⁷ cm⁻³, and...