Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing

The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a stoichiometry close to Co₂Si are supposed...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Kudryavtsev, Y.V., Lee, Y.P., Hyun, Y.H., Pavlova, E.P., Makogon, Y.N.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137685
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine