Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing
The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a stoichiometry close to Co₂Si are supposed...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137685 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-137685 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1376852018-06-18T03:04:31Z Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a stoichiometry close to Co₂Si are supposed to be formed spontaneously in the asdeposited Co/Si MLF. Sequential anneals of Co/Si MLF at 400, 600, and 700℃ do not produce any visible changes in their amorphous-like large-angle X-ray diffraction (HAXRD) spectra, while the SE indicates the formation of regions with a stoichiometry close to CoSi. Independently on the HAXRD results, the conclusion on the formation of CoSi₂ phase induced by annealing of Co/Si MLF at 800℃ can be confidently done on the basis of only optical study. Целью работы является демонстрация возможностей спектроскопической эллипсометрии (SE) при исследовании твердофазных реакций (как самопроизвольных, так и индуцированных) в многослойной пленке (MLF) (3,0 нм Co / 10,6 нм Si)₂₀. Предполагается, что в свежеосажденной области Co/Si MLF самопроизвольно образуются области со стехиометрией, близкой к Co₂Si. Последовательный отжиг Co/Si MLF при 400, 600 и 700℃ не вызывает видимых изменений в спектрах широкоугловой дифракции рентгеновских лучей (HAXRD), в то время как SE выявляет образование областей со стехиометрией, близкой к CoSi. Независимо от результатов HAXRD, на основании только оптических исследований можно сделать надежный вывод об образовании фазы CoSi₂ под влиянием отжига Co/Si MLF при 800℃. Метою роботи є демонстрацiя можливостей спектроскопiчної елiпсометрiї (SE) при дослiдженнi твердофазних реакцiй (як спонтанних, так i iндукованих) у багатошаровiй плiвцi (MLF) (3,0 нм СО/10,6 нм Si)₂₀. Припускається, що у свiжоосадженiй областi Co/Si MLF спонтанно утворюються областi зi стехiометрiєю, близькою до Co₂Si. Послiдовний вiдпал Co/Si MLF при 400, 600 i 700℃ не викликає видимих змiн у спектрах ширококутової дифракцiї рентгенiвських променiв (HAXRD), у той час як SE виявляє утворення областей зi стехiометрiєю, близькою до CoSi. Незалежно вiд результатiв HAXRD, на пiдставi тiльки оптичних дослiджень можна зробити надiйний висновок про утворення фази CoSi₂ пiд впливом вiдпалу Co/Si MLF при 800℃. 2005 Article Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137685 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
The work aim is to demonstrate the potential of the spectroscopic ellipsometry (SE) approach to study the solid state reactions, both spontaneous and/or induced by thermal annealing, in (3.0 nm Co / 10.6 nm Si)₂₀ multilayered film (MLF). The regions with a
stoichiometry close to Co₂Si are supposed to be formed spontaneously in the asdeposited
Co/Si MLF. Sequential anneals of Co/Si MLF at 400, 600, and 700℃ do not produce any visible changes in their amorphous-like large-angle X-ray diffraction (HAXRD) spectra, while the SE indicates the formation of regions with a stoichiometry close to CoSi. Independently on the HAXRD results, the conclusion on the formation of CoSi₂ phase
induced by annealing of Co/Si MLF at 800℃ can be confidently done on the basis of only optical study. |
| format |
Article |
| author |
Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. |
| spellingShingle |
Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing Functional Materials |
| author_facet |
Kudryavtsev, Y.V. Lee, Y.P. Hyun, Y.H. Pavlova, E.P. Makogon, Y.N. |
| author_sort |
Kudryavtsev, Y.V. |
| title |
Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_short |
Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_full |
Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_fullStr |
Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_full_unstemmed |
Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing |
| title_sort |
ellipsometric evidence of cosi₂ formation in co/si multilayer induced by thermal annealing |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2005 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137685 |
| citation_txt |
Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing / Y.V. Kudryavtsev, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, E.P. Pavlova, Y.N. Makogon // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 366-370. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT kudryavtsevyv ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT leeyp ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT hyunyh ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT pavlovaep ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing AT makogonyn ellipsometricevidenceofcosi2formationincosimultilayerinducedbythermalannealing |
| first_indexed |
2023-10-18T21:16:11Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:16:11Z |
| _version_ |
1796152366611824640 |