Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
A detailed XRD analysis of AlN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on AlN(0001) substrates is proposed. The effect of roughness on the 2θ-ω scans measured in Bragg diffraction for symmetrical reflections is investigated together with the effect of depth variation of the well and barrier...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2018
|
| Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146953 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness / O.I. Liubchenko, V.P. Kladko // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 759-776. — Бібліогр.: 38 назв. — англ. |