Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл
Проведен анализ технологических особенностей процессов DC- и RF- магнетронных разрядов. Показано, что различия в образовании и поддержании плазменной оболочки оказывают различное воздействие на распыляемый и осаждаемый материал. Потенциалы плазмы и потоки частиц на подложку являются основными фактор...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168200 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл / В.В. Буранич, И.В. Шелест, А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, С.А. Гончарова // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 89-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-168200 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1682002020-04-26T01:25:36Z Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. Проведен анализ технологических особенностей процессов DC- и RF- магнетронных разрядов. Показано, что различия в образовании и поддержании плазменной оболочки оказывают различное воздействие на распыляемый и осаждаемый материал. Потенциалы плазмы и потоки частиц на подложку являются основными факторами энергетической бомбардировки подложки, и сильно зависят от технологических особенностей распылительной системы. Проведено аналіз технологічних особливостей процесів DC- і RF- магнетронних розрядів. Встановлено, що відмінності в утворенні та підтримці плазмової оболонки по-різному впливають на матеріал, який розпорошується та на який осаджується покриття. Потенціали плазми і потоки частинок на підкладинку є основними факторами енергетичного бомбардування підкладинки, і сильно залежать від технологічних особливостей розпилювальної системи. The analysis of technological features of DC- and RF-magnetron discharges processes was carried out. It is shown that distinctions in the formation and maintenance of the plasma sheath have different effects on the sputtered and deposited material. Plasma potentials and particle fluxes onto the substrate are the main factors of the energy bombardment of the substrate, and are highly dependent on the technological features of the sputtering system. 2018 Article Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл / В.В. Буранич, И.В. Шелест, А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, С.А. Гончарова // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 89-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168200 621.739+548.735 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Проведен анализ технологических особенностей процессов DC- и RF- магнетронных разрядов. Показано, что различия в образовании и поддержании плазменной оболочки оказывают различное воздействие на распыляемый и осаждаемый материал. Потенциалы плазмы и потоки частиц на подложку являются основными факторами энергетической бомбардировки подложки, и сильно зависят от технологических особенностей распылительной системы. |
| format |
Article |
| author |
Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. |
| spellingShingle |
Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл Журнал физики и инженерии поверхности |
| author_facet |
Буранич, В.В. Шелест, И.В. Гончаров, А.А. Юнда, А.Н. Гончарова, С.А. |
| author_sort |
Буранич, В.В. |
| title |
Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_short |
Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_full |
Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_fullStr |
Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_full_unstemmed |
Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл |
| title_sort |
технологические особенности dc и rf магнетронного распыл |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2018 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168200 |
| citation_txt |
Технологические особенности DC и RF магнетронного распыл / В.В. Буранич, И.В. Шелест, А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, С.А. Гончарова // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 3. — С. 89-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| series |
Журнал физики и инженерии поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT buraničvv tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT šelestiv tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT gončarovaa tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT ûndaan tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl AT gončarovasa tehnologičeskieosobennostidcirfmagnetronnogoraspyl |
| first_indexed |
2023-10-18T22:22:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:22:24Z |
| _version_ |
1796155345884676096 |