About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon

About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon

The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further incre...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Fedorovich, O.A., Kruglenko, M.P., Polozov, B.P.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Теми:
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17499
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-17499
record_format dspace
spelling irk-123456789-174992011-02-27T12:07:19Z About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon Fedorovich, O.A. Kruglenko, M.P. Polozov, B.P. Низкотемпературная плазма и плазменные технологии The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further increasing of negative potential, regardless from method of preparation leads to a decrease in the monosilicon etching rate. This effect can be explained by an increase in dispersion of the active electrode. Application of a positive potential leads to polymer films deposition. Monosilicon etching rate increases with a positive potential bias rise on the active electrode. Приведены экспериментальные зависимости скорости травления монокремния от напряжений смещения на активном электроде при других неизменных условиях в разряде. При увеличении отрицательного потенциала смещения скорость травления монокремния увеличивается, достигая максимума при Uсм ≈ -(140…160) В. Дальнейшее увеличение отрицательного потенциала, независимо от метода его получения, приводит к уменьшению скорости травления монокремния. Указанный эффект может объясняться увеличением распыления активного электрода. Подача положительного потенциала приводит к осаждению полимерных пленок. Скорость травления монокремния увеличивается с увеличением положительного потенциала смещения на активном электроде. Наведено експериментальні залежності швидкості травлення монокремнію від напруги зміщення на активному електроді при інших незмінних умовах у розряді. При збільшенні негативного потенціалу зміщення швидкість травлення монокремнію збільшується, досягає максимуму при U≈ -(140…160) В. Подальше збільшення негативного потенціалу, незалежно від методу його отримання, призводить до зменшення швидкості травлення монокремнію. Зазначений ефект може пояснюватися збільшенням розпилення активного електрода. Подача позитивного потенціалу призводить до осадження полімерних плівок. Швидкість травлення монокремнію збільшується зі збільшенням позитивного потенціалу зміщення на активному електроді. 2010 Article About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17499 en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
spellingShingle Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
Fedorovich, O.A.
Kruglenko, M.P.
Polozov, B.P.
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
description The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further increasing of negative potential, regardless from method of preparation leads to a decrease in the monosilicon etching rate. This effect can be explained by an increase in dispersion of the active electrode. Application of a positive potential leads to polymer films deposition. Monosilicon etching rate increases with a positive potential bias rise on the active electrode.
format Article
author Fedorovich, O.A.
Kruglenko, M.P.
Polozov, B.P.
author_facet Fedorovich, O.A.
Kruglenko, M.P.
Polozov, B.P.
author_sort Fedorovich, O.A.
title About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
title_short About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
title_full About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
title_fullStr About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
title_full_unstemmed About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
title_sort about influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2010
topic_facet Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17499
citation_txt About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT fedorovichoa aboutinfluenceofenergyofelectronsandionsonspeedofelectronandionstimulatedplasmachemicaletchingofsilicon
AT kruglenkomp aboutinfluenceofenergyofelectronsandionsonspeedofelectronandionstimulatedplasmachemicaletchingofsilicon
AT polozovbp aboutinfluenceofenergyofelectronsandionsonspeedofelectronandionstimulatedplasmachemicaletchingofsilicon
first_indexed 2023-10-18T17:00:12Z
last_indexed 2023-10-18T17:00:12Z
_version_ 1796140429591183360

Схожі ресурси