2025-02-22T17:43:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-184956%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:43:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-184956%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:43:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T17:43:28-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках

Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) од...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Гайдар, Г.П.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2022
Series:Доповіді НАН України
Subjects:
Фізика
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184956
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) одержаних значень параметра K у разі проходження струму вздовж напрямку деформування і перпендикулярно до нього. На кристалах n-Ge підтверджено надійність методики вимірювань поперечного тензоопору за допомогою обчислення параметра анізотропії рухливості із залученням даних двох незалежних експериментів. Одержано хороший збіг значень параметра анізотропії K, обчислених за даними вимірювань тільки поздовжнього тензоопору та за даними вимірювань поздовжнього і поперечного тензоопорів. Експериментально підтверджено, що в умовах сильної направленої пружної деформації стиснення (за відсутності прояву компонент деформації зсуву в кристалах n-Si) відбуваються лише відносні зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у багатодолинних напівпровідниках за шкалою енергій, однак форма еліпсоїдів залишається практично незмінною.

Similar Items