2025-02-23T13:52:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53683%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:52:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53683%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:52:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:52:24-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Борисенко, А.Г., Полозов, Б.П., Федорович, О.А., Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Свешников, Ю.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53683
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53683

Similar Items