2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53683%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53683%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла....
Saved in:
Main Authors: | Борисенко, А.Г., Полозов, Б.П., Федорович, О.А., Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Свешников, Ю.Н. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53683 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53683%22&qt=morelikethis
2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53683%22&qt=morelikethis
2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T18:04:47-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
by: Григорьянц, В.В., et al.
Published: (2005) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2013) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
by: Болтовец, Н.С., et al.
Published: (2009) -
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009) -
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)