2025-02-22T16:37:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-87082%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:37:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-87082%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:37:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T16:37:53-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se
Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фото...
Saved in:
Main Authors: | , , , , , , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2013
|
Series: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87082 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фоторезистах состава GeSe₃. Увеличение содержания германия (исследовался состав GeSe₂) не позволяет получать микрорельефные структуры с глубиной рельефа, необходимой для изготовления дисков-оригиналов, используемых в производстве DVD и BD компакт-дисков. Пленки с высоким содержанием Se (GeSe₈) характеризуются наличием кристаллических включений и не могут быть использованы для получения микрорельефных структур при записи информации на диски-оригиналы. |
---|