The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
The influence of the bias voltage on the silicon etching rate in the plasma-chemical reactor (PСR) with controlled magnetic fields have been investigated. The dependences of the silicon etching rate on the power, discharge current and on the pressure in the chamber PCR are obtained. It is found that...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112376 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon / О.А. Fedorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, М.P. Kruglenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 6. — С. 146-150. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862589542708543488 |
|---|---|
| author | Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. |
| author_facet | Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. |
| citation_txt | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon / О.А. Fedorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, М.P. Kruglenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 6. — С. 146-150. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The influence of the bias voltage on the silicon etching rate in the plasma-chemical reactor (PСR) with controlled magnetic fields have been investigated. The dependences of the silicon etching rate on the power, discharge current and on the pressure in the chamber PCR are obtained. It is found that at high bias voltages the main mechanism influencing on the etch rate drop is a material sputtering of the working electrode and its redeposition onto the surface of processed silicon wafers.
Експериментально досліджено вплив напруги зміщення на швидкість травлення кремнію в плазмохімічному реакторі (ПХР) з керованими магнітними полями. З’ясовано, що при високих значеннях напруги зміщення основним механізмом, що впливає на зменшення швидкості травлення, є розпилення матеріалу робочого електрода і переосадження його на поверхню оброблюваних кремнієвих пластин.
Экспериментально исследовано влияние напряжения смещения на скорость травления кремния в плазмохимическом реакторе (ПХР) с управляемыми магнитными полями. Установлено, что при высоких величинах напряжения смещения основным механизмом, влияющим на уменьшение скорости травления, является распыление материала рабочего электрода и переосаждение его на поверхность обрабатываемых кремниевых пластин.
|
| first_indexed | 2025-11-27T03:06:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112376 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-27T03:06:37Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. 2017-01-20T18:14:07Z 2017-01-20T18:14:07Z 2015 The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon / О.А. Fedorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, М.P. Kruglenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 6. — С. 146-150. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.77.Bn, 81.65.Cf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112376 The influence of the bias voltage on the silicon etching rate in the plasma-chemical reactor (PСR) with controlled magnetic fields have been investigated. The dependences of the silicon etching rate on the power, discharge current and on the pressure in the chamber PCR are obtained. It is found that at high bias voltages the main mechanism influencing on the etch rate drop is a material sputtering of the working electrode and its redeposition onto the surface of processed silicon wafers. Експериментально досліджено вплив напруги зміщення на швидкість травлення кремнію в плазмохімічному реакторі (ПХР) з керованими магнітними полями. З’ясовано, що при високих значеннях напруги зміщення основним механізмом, що впливає на зменшення швидкості травлення, є розпилення матеріалу робочого електрода і переосадження його на поверхню оброблюваних кремнієвих пластин. Экспериментально исследовано влияние напряжения смещения на скорость травления кремния в плазмохимическом реакторе (ПХР) с управляемыми магнитными полями. Установлено, что при высоких величинах напряжения смещения основным механизмом, влияющим на уменьшение скорости травления, является распыление материала рабочего электрода и переосаждение его на поверхность обрабатываемых кремниевых пластин. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Экспериментальные методы и обработка данных The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon Напруга зміщення і її вплив на швидкість травлення кремнію Напряжение смещения и его влияние на скорость травления кремния Article published earlier |
| spellingShingle | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. Экспериментальные методы и обработка данных |
| title | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_alt | Напруга зміщення і її вплив на швидкість травлення кремнію Напряжение смещения и его влияние на скорость травления кремния |
| title_full | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_fullStr | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_full_unstemmed | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_short | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_sort | bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| topic | Экспериментальные методы и обработка данных |
| topic_facet | Экспериментальные методы и обработка данных |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112376 |
| work_keys_str_mv | AT fedorovichoa thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT hladkovskiyvv thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT polozovbp thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT kruglenkomp thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT fedorovichoa naprugazmíŝennâííívplivnašvidkístʹtravlennâkremníû AT hladkovskiyvv naprugazmíŝennâííívplivnašvidkístʹtravlennâkremníû AT polozovbp naprugazmíŝennâííívplivnašvidkístʹtravlennâkremníû AT kruglenkomp naprugazmíŝennâííívplivnašvidkístʹtravlennâkremníû AT fedorovichoa naprâženiesmeŝeniâiegovliânienaskorostʹtravleniâkremniâ AT hladkovskiyvv naprâženiesmeŝeniâiegovliânienaskorostʹtravleniâkremniâ AT polozovbp naprâženiesmeŝeniâiegovliânienaskorostʹtravleniâkremniâ AT kruglenkomp naprâženiesmeŝeniâiegovliânienaskorostʹtravleniâkremniâ AT fedorovichoa biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT hladkovskiyvv biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT polozovbp biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT kruglenkomp biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon |