Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields

• Дата: 2007
• Автори: Syngaivska, G.I., Korotyeyev, V.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118329
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields / G.I. Syngaivska, V.V.Korotyeyev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 54-59. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

The electron distribution function and transport characteristics of hot electrons in GaN semiconductor are calculated by the Monte Carlo method. We studied the electron transport at temperatures of 10, 77, and 300 K under low and moderate electric fields. We found that, at low temperatures and lo...