A silicon carbide thermistor
We consider a silicon carbide thermistor with multilayer Au–TiBx–Ni2Si ohmic contacts intended for operation in the 77 to 450 K temperature range.
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121636 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | A silicon carbide thermistor / N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 67-70. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |