Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines за авторством Boltovets, N.S., Kashin, G.N., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A.

Отримати повний текст

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Ledn’ova, T.M., Okhrimenko, O.B.

Отримати повний текст

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.

Отримати повний текст

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Zhigunov, V.S., Konakova, R.V., Panteleev, V.N., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures за авторством Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V., Lytvyn, O.S., Kapitanchuk, L.M.

Отримати повний текст

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

A silicon carbide thermistor за авторством Boltovets, N.S., Kholevchuk, V.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V.

Отримати повний текст

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs за авторством Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.

Отримати повний текст

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes за авторством Boltovets, N.S., Goncharuk, N.M., Krivutsa, V.A., Chaika, V.E., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Tagaev, M.B., Voitsikhovskyi, D.I.

Отримати повний текст

Method for data processing in application to ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kovtonjuk, V.M., Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Dub, M.M., Saj, P.O., Novitskii, S.V.

Отримати повний текст

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes за авторством Romanets, P.M., Belyaev, A.E., Sachenko, А.V., Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Konakova, R.V., Slipokurov, V.S., Khodin, А.А., Pilipenko, V.А., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya.

Отримати повний текст

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах... за авторством Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.

Отримати повний текст

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

Отримати повний текст

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Konakova, R.V., Kladko, V.P., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Korostinskaya, T.V., Ataubaeva, A.B., Nevolin, P.V.

Отримати повний текст

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.

Отримати повний текст

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si за авторством Belyaev, A.E., Pilipenko, V.A., Anischik, V.M., Petlitskaya, T.V., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Boltovets, N.S., Korostinskaya, T.V., Kapitanchuk, L.M., Kudryk, Ya.Ya., Vinogradov, A.O., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Naumov, A.V., Panteleev, V.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis за авторством Arsentyev, I.N., Bobyl, A.V., Tarasov, I.S., Shishkov, M.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kamalov, A.B., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V.

Отримати повний текст