Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
We report the results of defect structures studies of silicon implanted at different temperatures with Mn ions (Si:Mn) and of GaMnAs layers, next annealed under ambient and high pressures. An influence of annealing conditions on structural properties of Si:Mn and GaMnAs layers was investigated. It h...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5986 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure / J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Domagala, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Lusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 32-40. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862575963525611520 |
|---|---|
| author | Bak-Misiuk, J. Romanowski, P. Domagala, J. Misiuk, A. Dynowska, E. Lusakowska, E. Barcz, A. Sadowski, J. Caliebe, W. |
| author_facet | Bak-Misiuk, J. Romanowski, P. Domagala, J. Misiuk, A. Dynowska, E. Lusakowska, E. Barcz, A. Sadowski, J. Caliebe, W. |
| citation_txt | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure / J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Domagala, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Lusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 32-40. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| description | We report the results of defect structures studies of silicon implanted at different temperatures with Mn ions (Si:Mn) and of GaMnAs layers, next annealed under ambient and high pressures. An influence of annealing conditions on structural properties of Si:Mn and GaMnAs layers was investigated. It has been confirmed that annealing of the Si:Mn samples after implantation results in crystallization of silicon inside the buried postimplanted layer, as well as in the formation of ferromagnetic Mn4Si7 precipitates. A change of strain in the GaMnAs layer, from the compressive to the tensile one, related to a creation of nanoclustered MnAs, was found to be dependent on processing conditions and primary existing structural defects, while independent of the Mn concentration. An influence of primary defects on the structural transformations of the GaMnAs layer is discussed.
Приведено результати вивчення дефектних структур шарів кремнію, імплантованого іонами Mn (Si:Mn) при різних температурах, і GaMnAs з подальшим відпалом при зовнішньому і високому тиску. Досліджено вплив умов відпалу на структурні властивості шарів Si:Mn і GaMnAs. Показано, що відпал імплантованих зразків Si:Mn призводить до кристалізації кремнію усередині заглибленого постімплантованого шару, а також до утворення феромагнітних Mn4Si7-виділень. Виявлено, що зміна в GaMnAs-шарі напруження з того, що стискає, на те, що розтягує, пов'язана з утворенням нанокластерів MnAs, залежить від умов обробки і початкових дефектів структури і не залежить від концентрації Mn. Обговорюється вплив первинних дефектів на структурні перетворення в шарі GaMnAs.
|
| first_indexed | 2025-11-26T14:00:06Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-5986 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T14:00:06Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Bak-Misiuk, J. Romanowski, P. Domagala, J. Misiuk, A. Dynowska, E. Lusakowska, E. Barcz, A. Sadowski, J. Caliebe, W. 2010-02-12T17:55:08Z 2010-02-12T17:55:08Z 2009 Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure / J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Domagala, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Lusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 32-40. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 0868-5924 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5986 We report the results of defect structures studies of silicon implanted at different temperatures with Mn ions (Si:Mn) and of GaMnAs layers, next annealed under ambient and high pressures. An influence of annealing conditions on structural properties of Si:Mn and GaMnAs layers was investigated. It has been confirmed that annealing of the Si:Mn samples after implantation results in crystallization of silicon inside the buried postimplanted layer, as well as in the formation of ferromagnetic Mn4Si7 precipitates. A change of strain in the GaMnAs layer, from the compressive to the tensile one, related to a creation of nanoclustered MnAs, was found to be dependent on processing conditions and primary existing structural defects, while independent of the Mn concentration. An influence of primary defects on the structural transformations of the GaMnAs layer is discussed. Приведено результати вивчення дефектних структур шарів кремнію, імплантованого іонами Mn (Si:Mn) при різних температурах, і GaMnAs з подальшим відпалом при зовнішньому і високому тиску. Досліджено вплив умов відпалу на структурні властивості шарів Si:Mn і GaMnAs. Показано, що відпал імплантованих зразків Si:Mn призводить до кристалізації кремнію усередині заглибленого постімплантованого шару, а також до утворення феромагнітних Mn4Si7-виділень. Виявлено, що зміна в GaMnAs-шарі напруження з того, що стискає, на те, що розтягує, пов'язана з утворенням нанокластерів MnAs, залежить від умов обробки і початкових дефектів структури і не залежить від концентрації Mn. Обговорюється вплив первинних дефектів на структурні перетворення в шарі GaMnAs. en Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure Феромагнітні нанокластери в Si:Mn і GaMnAs, відпалених при високих температурі і тиску Article published earlier |
| spellingShingle | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure Bak-Misiuk, J. Romanowski, P. Domagala, J. Misiuk, A. Dynowska, E. Lusakowska, E. Barcz, A. Sadowski, J. Caliebe, W. |
| title | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure |
| title_alt | Феромагнітні нанокластери в Si:Mn і GaMnAs, відпалених при високих температурі і тиску |
| title_full | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure |
| title_fullStr | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure |
| title_full_unstemmed | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure |
| title_short | Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure |
| title_sort | ferromagnetic nanoclusters in si:mn and gamnas annealed at high temperature–pressure |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5986 |
| work_keys_str_mv | AT bakmisiukj ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT romanowskip ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT domagalaj ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT misiuka ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT dynowskae ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT lusakowskae ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT barcza ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT sadowskij ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT caliebew ferromagneticnanoclustersinsimnandgamnasannealedathightemperaturepressure AT bakmisiukj feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT romanowskip feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT domagalaj feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT misiuka feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT dynowskae feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT lusakowskae feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT barcza feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT sadowskij feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku AT caliebew feromagnítnínanoklasterivsimnígamnasvídpalenihprivisokihtemperaturíítisku |