Buchumschlag

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

The conducted researches of the thermal parameters of the silicon&nbsp;p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:	импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

60 лет базам данных
von: Резниченко, В.А.
Veröffentlicht: (2021-07-24)

CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
von: Trofimov, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ЗАВИСИМОСТЬ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ПОТЕРЬ В ТРЕХФАЗНЫХ СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ОТ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ И ПУЛЬСАЦИЙ МГНОВЕННОЙ АКТИВНОЙ МОЩНОСТИ
von: Жемеров , Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
von: Щербак , Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
von: Загирняк , М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013)

Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
von: Rudenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

МЕТОД СИНХРОННОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УПРАВЛЕНИЮ ЧЕТЫРЬМЯ ИНВЕРТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ, ПИТАЮЩИМИ АСИММЕТРИЧНЫЙ ШЕСТИФАЗНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ
von: Олещук, В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Экспрессное измерение мощности ультрафиолетового излучения в спектральных диапазонах УФ-А и УФ-В+С
von: Kolezhuk, K. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Obukhov, I. A.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В КОМПЛЕКТЕ «РАЗРЯДНАЯ ЛАМПА – ПРА»
von: Говоров , Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
von: Городний , А.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТАВЛЯЮЩИХ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ В СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ТЯГИ
von: Костин, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
von: Lavrich, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Гасанов, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Полупроводниковый генератор импульсного действия с электронным переключением частот Ka-диапазона
von: Dvornichenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2015)

The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
von: Sh. B. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование режимов теплообмена в пульсационной тепловой трубе
von: Kravets, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
von: Konnikov, I. A.
Veröffentlicht: (2006)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Теплоотводящая поверхность с пластинчато-просечным оребрением при низкоскоростном обдуве
von: Pismenniy, E. N., et al.
Veröffentlicht: (2005)

ІНТЕГРАЛЬНИЙ МЕТОД МОДЕЛЮВАННЯ ДИНАМІЧНИХ СИСТЕМ ЗІ ЗМІННИМИ ПАРАМЕТРАМИ
von: Протасов, Сергей Юрьевич
Veröffentlicht: (2010)

Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
von: A. Z. Rakhmatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЖИМА КОМПЕНСАЦИИ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В ЧЕТЫРЕХПРОВОДНОЙ ТРЕХФАЗНОЙ СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ ПОИСКОВОЙ ОПТИМИЗАЦИИ
von: Ягуп, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2016)