Зображення обкладинки

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

The conducted researches of the thermal parameters of the silicon&nbsp;p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:	импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

60 лет базам данных
за авторством: Резниченко, В.А.
Опубліковано: (2021-07-24)

CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
за авторством: Trofimov, V. E., та інші
Опубліковано: (2016)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

ЗАВИСИМОСТЬ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ПОТЕРЬ В ТРЕХФАЗНЫХ СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ОТ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ И ПУЛЬСАЦИЙ МГНОВЕННОЙ АКТИВНОЙ МОЩНОСТИ
за авторством: Жемеров , Г.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
за авторством: Щербак , Я.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013)

ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
за авторством: Загирняк , М.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
за авторством: Rubtsevitch, I. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
за авторством: Рахматов, А.З.
Опубліковано: (2013)

Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
за авторством: Rudenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Тепловая эффективность теплоотдачи оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
за авторством: Pismenniy, Ye. N., та інші
Опубліковано: (2004)

МЕТОД СИНХРОННОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УПРАВЛЕНИЮ ЧЕТЫРЬМЯ ИНВЕРТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ, ПИТАЮЩИМИ АСИММЕТРИЧНЫЙ ШЕСТИФАЗНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ
за авторством: Олещук, В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Экспрессное измерение мощности ультрафиолетового излучения в спектральных диапазонах УФ-А и УФ-В+С
за авторством: Kolezhuk, K. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
за авторством: Obukhov, I. A.
Опубліковано: (2007)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2003)

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В КОМПЛЕКТЕ «РАЗРЯДНАЯ ЛАМПА – ПРА»
за авторством: Говоров , Ф.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
за авторством: Городний , А.Н.
Опубліковано: (2012)

МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТАВЛЯЮЩИХ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ В СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ТЯГИ
за авторством: Костин, Н.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)

Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
за авторством: Pavljuk, S. P., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Ivashchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2003)

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
за авторством: Lavrich, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2014)

The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Полупроводниковый генератор импульсного действия с электронным переключением частот Ka-диапазона
за авторством: Dvornichenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2015)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
за авторством: Konnikov, I. A.
Опубліковано: (2006)

Исследование режимов теплообмена в пульсационной тепловой трубе
за авторством: Kravets, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2010)