Suchergebnisse - Yodgorova, D. M.
- Treffer 1 - 14 von 14
-
1
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами von Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht 2010Volltext
Artikel -
2
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.
Veröffentlicht 2009Volltext
Artikel -
3
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.
Veröffentlicht 2009Volltext
Artikel -
4
-
5
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.
Veröffentlicht 2008Volltext
Artikel -
6
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.
Veröffentlicht 2009Volltext
Artikel -
7
-
8
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.
Veröffentlicht 2011Volltext
Artikel -
9
-
10
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Rakhmatov, A. Z., Skornyakov, S. L., Petrov, D. A., Abdulkhayev, О. А.
Veröffentlicht 2012Volltext
Artikel -
11
-
12
-
13
-
14
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе von Karimov, A. V., Djurayev, D. R., Yodgorova, D. M., Rakhmatov, A. Z., Abdulkhayev, O. A., Kamanov, B. M., Turayev, A. A.
Veröffentlicht 2011Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
ограничитель напряжения
voltage limiter
photosensitivity
space charge region
импульсная мощность
область объемного заряда
слой объемного заряда
FET
Schottky barriers
ampoule
arsenic
barrier
base
base thickness
charge transport
charge transport mechanism
clamping effect
concentration
current amplification effect
current transfer mechanism
defects
diffusion
double-base structure
drain current
dual generator method
enhancement effect
epitaxy
error of method
impurity
impurity layer