Treffer 1 - 18 von 18 für Suche 'Yodgorova, D. M.', Suchdauer: 0,02s Treffer weiter einschränken
  1. 1
    Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
    von Yodgorova, D. M.
    Veröffentlicht 2010
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  2. 2
    Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  3. 3
    Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  4. 4
    Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
    von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.
    Veröffentlicht 2009
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  5. 5
    Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  6. 6
    Determination of potential distribution in a three-barrier structure
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  7. 7
    Research of structures with corrugated photoreceiving surface
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  8. 8
    Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  9. 9
    Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  10. 10
    Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  11. 11
    Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  12. 12
    Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  13. 13
    Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  14. 14
    Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  15. 15
    Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  16. 16
    Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  17. 17
    Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  18. 18
    Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
    Volltext
    Artikel
    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
Suchwerkzeuge: RSS-Feed abonnieren – Diese Suche als E-Mail versenden