Показ 1 - 14 результатів із 14 для пошуку 'Karimov, A. V.', час виконання запиту: 0.01сек. Уточнити результати
  1. 1
    Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
    за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.
    Опубліковано 2005
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
    за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V.
    Опубліковано 2004
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Determination of potential distribution in a three-barrier structure
    за авторством Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.
    Опубліковано 2006
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Research of structures with corrugated photoreceiving surface
    за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.
    Опубліковано 2004
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
    за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.
    Опубліковано 2015
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
    за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.
    Опубліковано 2008
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
    за авторством Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.
    Опубліковано 2005
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  8. 8
    Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
    за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.
    Опубліковано 2008
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  9. 9
    Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
    за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.
    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  10. 10
    Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.
    Опубліковано 2011
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  11. 11
    Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Rakhmatov, A. Z., Skornyakov, S. L., Petrov, D. A., Abdulkhayev, О. А.
    Опубліковано 2012
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  12. 12
    Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
    за авторством Karimov, A. V., Rakhmatov, A. Z., Abdulkhaev, O. A., Aripova, U. H., Khidirnazarova, A. Yu., Kuliyev, Sh. M.
    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  13. 13
    Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  14. 14
    Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
Інструменти для пошуку: Отримати RSS-стрічку – Відправити пошук е-поштою