Показ 1 - 19 результатів із 19 для пошуку 'Karimov, A. V.', час виконання запиту: 0.02сек. Уточнити результати
  1. 1
    Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
    за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.
    Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
    за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V.
    Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.
    Опубліковано 2009
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.
    Опубліковано 2009
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Determination of potential distribution in a three-barrier structure
    за авторством Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.
    Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Research of structures with corrugated photoreceiving surface
    за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.
    Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
    за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.
    Опубліковано 2015
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  8. 8
    Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  9. 9
    Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.
    Опубліковано 2009
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  10. 10
    Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
    за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.
    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  11. 11
    Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.
    Опубліковано 2011
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  12. 12
    Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  13. 13
    Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  14. 14
    Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Rakhmatov, A. Z., Skornyakov, S. L., Petrov, D. A., Abdulkhayev, О. А.
    Опубліковано 2012
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  15. 15
    Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
    за авторством Rakhmatov, A. Z., Skorniakov, S. L., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhayev, O. A., Buzrukov, U. M.
    Опубліковано 2010
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  16. 16
    Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
    за авторством Karimov, A. V., Rakhmatov, A. Z., Abdulkhaev, O. A., Aripova, U. H., Khidirnazarova, A. Yu., Kuliyev, Sh. M.
    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  17. 17
    Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
    за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.
    Опубліковано 2009
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  18. 18
    Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  19. 19
    Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
Інструменти для пошуку: Отримати RSS-стрічку – Відправити пошук е-поштою