Результати пошуку - Abdulkhaev, O. A.
- Показ 1 - 5 результатів із 5
-
1
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
2
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.
Опубліковано 2015Отримати повний текст
Стаття -
3
Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.
Опубліковано 2018Отримати повний текст
Стаття -
4
-
5
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
photosensitivity
ограничитель напряжения
Schottky barriers
capacitance characteristic
charge transport mechanism
clamping effect
current transfer mechanism
current-voltage characteristic
defects
diffuse diode
heat treatment
modulation
p GaAs–nGaAs–p GaAs structure
p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура
photodetector
photodiode structures
punch-through effect
radiation exposure
rectifying junction
reverse current
space charge region
thin base
three-barrier photodiode structure
two-way sensitivity
voltage drop
voltage limiter
voltage surge suppressor
барьер Шоттки
вольт-амперна характеристика
выпрямляющий переход