Харвестер відкритої науки НАН України

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Опубліковано 2009

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity

за авторством Boltovets, M.S., Ivanov, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Shynkarenko, V.V., Sheremet, V.M., Sveshnikov, Yu.N., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)