Результати пошуку - Boltovets, M.S.
- Показ 1 - 4 результатів із 4
-
1
Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes за авторством Romanets, P.M., Konakova, R.V., Boltovets, M.S., Basanets, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Отримати повний текст
Стаття -
2
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия за авторством Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.
Опубліковано 2005Отримати повний текст
Стаття -
3
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
4
Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity за авторством Boltovets, M.S., Ivanov, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Shynkarenko, V.V., Sheremet, V.M., Sveshnikov, Yu.N., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
4NSiC silicon carbide
Semiconductor physics
diode chip
epitaxial layers
gallium nitride
ion-plasma etching
mesastructure
plasma-chemical etching
plasma-chemical reactor
p–i–n-diode
p–i–n-диод
silicon etching
карбид кремния 4НSiC
мезаструктура
нитрид галлия
плазмохимический реактор
плазмохимическое травление
травление ионно-плазменное
травление кремния
чип диода
эпитаксиальные слои