Харвестер відкритої науки НАН України

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)

von Parphenyuk, P.V., Evtukh, A.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії

von Litovchenko, V.G., Naseka, V.M., Evtukh, A.A.
Veröffentlicht 2012

The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers

von Solntsev, V.S., Gorbanyuk, T.I., Litovchenko, V.G., Evtukh, A.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals

von Bratus, O.L., Evtukh, A.A., Steblova, O.V., Prokopchuk, V.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Charge storage characteristics of gold nanoparticles embedded in alumina matrix

von Bratus, O., Evtukh, A., Kaganovich, E., Kizjak, A., Kizjak, I., Manoilov, E.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Провiднi наностержнi в АПВ плiвках, зумовленi трансформацiєю вуглецю

von Evtukh, A., Litovchenko, V., Strikha, M., Kurchak, A., Yilmazoglu, O., Hartnagel, H.
Veröffentlicht 2018

Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing

von Bratus, O.L., Evtukh, A.A., Lytvyn, O.S., Voitovych, M.V., Yukhymchuk, V.О.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals

von Begun, E.V., Bratus’, O.L., Evtukh, A.A., Kaganovich, E.B., Manoilov, E.G.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Дослiдження розповсюдження температурних профiлiв в нестехiометричних плiвках SiOx при лазерному вiдпалi...

von Gavrylyuk, O. O., Semchuk, O. Yu., Steblova, O. V., Evtukh, A. A., Fedorenko, L. L.
Veröffentlicht 2018

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments

von Litovchenko, V.G., Efremov, A.A., Evtukh, A.A., Rassamakin, Yu.V., Klyui, M.I., Kostylov, V.P.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon

von Evtukh, A.A., Litovchenko, V.G., Oberemok, A.S., Popov, V.G., Rassamakin, Yu.V., Romanyuk, B.N., Volkov, S.G.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Field emission of electrons from laser produced silicon tip arrays

von Evtukh, A.A., Kaganovich, E.B., Litovchenko, V.G., Litvin, Yu.M., Fedin, D.V., Manoilov, E.G., Svechnikov, S.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂(Si) films under thermal and laser annealing

von Steblova, O.V., Evtukh, A.A., Bratus’, O.I., Fedorenko, L.L., Voitovych, M.V., Lytvyn, O.S., Gavrylyuk, O.O., Semchuk, O.Yu.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)