Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers за авторством Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.

Отримати повний текст

Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates за авторством Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.

Отримати повний текст

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза за авторством Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.

Отримати повний текст