Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates

за авторством Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.
Опубліковано 2006

Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers

за авторством Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
Опубліковано 2011

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

за авторством Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Опубліковано 2018