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Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base

von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

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Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.
Veröffentlicht 2009

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Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers

von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

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4

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами...

von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.
Veröffentlicht 2009

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5

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами...

von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F.
Veröffentlicht 2013

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