Харвестер відкритої науки НАН України

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals

за авторством Seitmuratov, M.S., Klad'ko, V.P., Gudymenko, O.I., Datsenko, L.I., Prokopenko, I.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study

за авторством Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

за авторством Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Опубліковано 2018