Харвестер відкритої науки НАН України

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry

von Fodchuk, І.М., Dovganyuk, V.V., Litvinchuk, Т.V., Kladko, V.P., Slobodian, М.V., Gudymenko, O.Yo., Swiatek, Z.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Influence of deposition rate and substrate temperature on structure and optical features of NiO thin film

von Oberemok, O.S., Sabov, T.M., Lisovskyy, I.P., Khacevych, I.M., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Voitovych, M.V.
Veröffentlicht in Functional Materials (2016)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах...

von Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.
Veröffentlicht 2022

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands

von Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers

von Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)