Suchergebnisse - Ivanov, V.N.

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    Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны von Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Nikolaenko, Ju. E.

    Veröffentlicht 2007
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    Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн von Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Nikolaienko, Yu. E.

    Veröffentlicht 2006
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    Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices von Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

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    Magnetron sputtered coatings of AlN-TiCrB₂ system von Panasyuk, A.D., Podchernyaeva, I.A., Neshpor, I.P., Gawalek, W., Ivanov, V.N.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2009)
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    TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment von Kryshtab, T.G., Lytvyn, P.M., Mazin, M.O., Lytvyn, O.S., Prokopenko, I.V., Ivanov, V.N.

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    Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления von Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.

    Veröffentlicht 2009
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    Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide von Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

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    Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

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    Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs von Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.

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    On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.

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    Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах... von Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.

    Veröffentlicht 2010
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    SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers von Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

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  13. 13
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    Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.

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    New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis von Arsentyev, I.N., Bobyl, A.V., Tarasov, I.S., Shishkov, M.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kamalov, A.B., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V.

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    Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals von Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Ivanov, V.N., Krivutsa, V.A., Tsvir, A.V., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Venger, E.F., Voitsikhovskyi, D.I., Kholevchuk, V.V., Mitin, V.F.

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    Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis von Belyaev, A.E., Bobyl, A.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Konnikov, S.G., Kudryk, Ya.Ya., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V., Rudenko, E.M., Tereschenko, G.F., Ulin, V.P., Ustinov, V.M., Tsirlin, G.E., Shpak, A.P.

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