Результати пошуку - Ivanov, V.N.

  • Показ 1 - 16 результатів із 16
Уточнити результати
  1. 1
    Зображення обкладинки

    Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны за авторством Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Nikolaenko, Ju. E.

    Опубліковано 2007
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Зображення обкладинки

    Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн за авторством Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Nikolaienko, Yu. E.

    Опубліковано 2006
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Зображення обкладинки

    Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices за авторством Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Зображення обкладинки

    Magnetron sputtered coatings of AlN-TiCrB₂ system за авторством Panasyuk, A.D., Podchernyaeva, I.A., Neshpor, I.P., Gawalek, W., Ivanov, V.N.

    Опубліковано в: Functional Materials (2009)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Зображення обкладинки

    TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment за авторством Kryshtab, T.G., Lytvyn, P.M., Mazin, M.O., Lytvyn, O.S., Prokopenko, I.V., Ivanov, V.N.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Зображення обкладинки

    Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.

    Опубліковано 2009
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Зображення обкладинки

    Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  8. 8
    Зображення обкладинки

    Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  9. 9
    Зображення обкладинки

    Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs за авторством Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  10. 10
    Зображення обкладинки

    On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  11. 11
    Зображення обкладинки

    Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах... за авторством Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.

    Опубліковано 2010
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  12. 12
    Зображення обкладинки

    SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  13. 13
    Зображення обкладинки

    Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  14. 14
    Зображення обкладинки

    New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis за авторством Arsentyev, I.N., Bobyl, A.V., Tarasov, I.S., Shishkov, M.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kamalov, A.B., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  15. 15
    Зображення обкладинки

    Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals за авторством Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Ivanov, V.N., Krivutsa, V.A., Tsvir, A.V., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Venger, E.F., Voitsikhovskyi, D.I., Kholevchuk, V.V., Mitin, V.F.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  16. 16
    Зображення обкладинки

    Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis за авторством Belyaev, A.E., Bobyl, A.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Konnikov, S.G., Kudryk, Ya.Ya., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V., Rudenko, E.M., Tereschenko, G.F., Ulin, V.P., Ustinov, V.M., Tsirlin, G.E., Shpak, A.P.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:

Інструменти для пошуку: