Харвестер відкритої науки НАН України

Thermoexfoliated graphite — transitional metal nanocomposites

за авторством Len, T.A., Matzui, L.Yu., Babich, N.G., Kopan, V.S., Kapitanchuk, L.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2004)

Thermomagnetic studies of thermoexfoliated graphite-transition metal composites

за авторством Vovchenko, L.L., Babich, M.G., Zakharenko, M.I., Brusilovets, A.I., Kapitanchuk, L.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2007)

Особливості структуроутворення заевтектоїдних сталей, легованих міддю

за авторством Kvasnytska, Y. G., Tarasevich, M. I., Grigorenko, S. G., Kostin , V. A., Kapitanchuk, L. M., Solomiychuk , T. G., Kiryakova, N. V., Oleksenko, I. V.
Опубліковано 2024

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures

за авторством Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V., Lytvyn, O.S., Kapitanchuk, L.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Konakova, R.V., Kladko, V.P., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Korostinskaya, T.V., Ataubaeva, A.B., Nevolin, P.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density

за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Naumov, A.V., Panteleev, V.V., Sheremet, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si

за авторством Belyaev, A.E., Pilipenko, V.A., Anischik, V.M., Petlitskaya, T.V., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Boltovets, N.S., Korostinskaya, T.V., Kapitanchuk, L.M., Kudryk, Ya.Ya., Vinogradov, A.O., Sheremet, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts

за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kuchuk, A.V., Korostinskay, T.V., Pilipchuk, A.S., Sheremet, V.N., Mazur, Yu.I., Ware, M.E., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)