Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии...

by Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.
Published 2014

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

by Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.
Published 2012