Харвестер відкритої науки НАН України

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon

за авторством Gaidar, G.P., Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance

за авторством Baranskyy, P.I., Gaydar, G.P., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te

за авторством Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла

за авторством Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M.
Опубліковано 2008

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons

за авторством Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures

за авторством Litovchenko, P., Litovchenko, A., Konoreva, O., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium

за авторством Dolgolenko, A.P., Gaidar, G.P., Varentsov, M.D., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes

за авторством Borzakovskyj, A., Gontaruk, O., Kochkin, V., Litovchenko, P., Opilat, V., Petrenko, I., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals

за авторством Hontaruk, O., Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide

за авторством Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects

за авторством Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers

за авторством Litovchenko, P.G., Pavlovska, N.T., Pavlovskyy, Yu.V., Ugrin, Yu.O., Luka, G., Ostrovskyy, I.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs

за авторством Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.
Опубліковано в: Физика низких температур (2003)

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon

за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2017)

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons

за авторством Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors

за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2016)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples

за авторством Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Основні положення концепції нового багато цільового дослідницького ядерного реактора

за авторством Vishnevsky, I., Davidovsky, V., Grinik, E., Lysenko, M., Litovchenko, P., Lobach, Yu., Makarovsky, V., Pavlovich, V., Svarichevskaya, E., Trishin, V., Shevel, V.
Опубліковано 2006

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics

за авторством Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин...

за авторством Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.
Опубліковано 2011